二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究

• 作者: 刘永峰 方香 李玉国 王宇 王玉萍
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SiO2 纳米结构 溅射 光致发光
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 614-616
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花.利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对上述纳米结构进行结构表征.用荧光光谱仪(PL)对其光致发光特性进行了研究.结果表明在激发波长为325 nm时,在394 nm处出现一个发光峰,表现出良好的发光特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	44	186	7.0	11.0
2	王宇	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	10	18	3.0	3.0
3	刘永峰	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	4	9	3.0	3.0
4	王玉萍	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	3	7	2.0	2.0
5	方香	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	4	12	3.0	3.0