硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响

• 作者: 刘雷 单崇新 姚斌 姜明明 张振中 李炳辉 王双鹏 申德振 赵东旭 赵鹏程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO B/N共掺 p型掺杂
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 795-799
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143507.0795

摘要

利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B-N键。 B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO.( B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B-N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B-N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。