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摘要:
亚波长结构是特征尺寸小于工作波长的连续阵列浮雕结构,可看成是一层折射率均匀的介质层,仅存在零级的透射和反射衍射.基于等效介质理论和严格耦合波理论介绍了亚波长抗反射结构.为提高111 μm波长太赫兹辐射(2.7 THz)的透过率,在硅表面设计了亚波长抗反射结构.该结构的透射率和反射率由其浮雕结构的周期、高度和占空比确定.利用等效介质理论和严格耦合波理论对其结构参数进行了优化设计.当周期为27 μm、高度为13 μm、占空比为0.75时,得到了99.05%的太赫兹辐射透过率.
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文献信息
篇名 硅表面太赫兹抗反射亚波长结构设计
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 亚波长结构 严格耦合波理论 太赫兹 抗反射
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 621-624,667
页数 分类号 TB303|O43
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋亚东 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 318 2024 18.0 25.0
2 黎威志 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 36 218 9.0 12.0
3 王军 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 115 936 14.0 26.0
4 苟君 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 7 20 1.0 4.0
5 何少伟 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 2 1.0 1.0
6 陈鹏杰 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
亚波长结构
严格耦合波理论
太赫兹
抗反射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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