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摘要:
零中频发射机电路实现上只有DAC和IQ调制器两部分,电路结构简单,与二次变频方案相比,省去中频信号发生器、中频合成器(PLL/VCO)、中频-射频混频器以及SAW滤波器等,不仅降低了发射机系统的复杂度,也大幅减小了系统体积、重量、功耗和成本,但是零中频方案存在无用边带和本振泄漏.文中分析了零中频发射机的原理和存在的问题,找到了一种抑制无用边带和本振泄漏的方法,给出了一种零中频发射机实现方案.经工程验证,文中的零中频发射机64QAM调制方式EVM <4%,ACPR >53 dB,各项关键指标优于3GPP规范.
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文献信息
篇名 零中频发射机设计与实现
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 零中频 本振泄露 IQ校准
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 电子·电路
研究方向 页码范围 73-76
页数 4页 分类号 TN838
字数 2674字 语种 中文
DOI
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 戚秀真 长安大学信息工程学院 15 76 6.0 8.0
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零中频
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IQ校准
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