Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质

• 作者: 余志强 廖红华 张昌华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 单层MoS2 电子结构 光电性质
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 785-790
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143507.0785

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明，本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成，而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定；Te掺杂单层MoS2为间接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂，使单层MoS2的静态介电常数增大，禁带宽度变窄，吸收光谱产生红移，研究结果为单层MoS2在光电器件方面的应用提供了理论基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖红华	湖北民族学院电气工程系	71	326	10.0	15.0
2	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
3	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0