强光照射下的InGaAs二极管内部光生载流子分析

• 作者: 孙晓泉 胡伟 豆贤安
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电二极管 非线性响应 强光辐照 空间电荷屏蔽 耗尽区
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 138-142
• 分类号: TN364
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20144306.0625001

摘要

以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子空穴的漂移速度,发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降,载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态,使光生载流子的复合率下降,大量载流子聚集在耗尽区内,形成了空间电荷屏蔽效应,导致二极管呈非线性响应状态.在5V偏置电压条件下,增加皮秒激光的脉冲能量,光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽,峰值电压呈非线性变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡伟	脉冲功率激光技术国家重点实验室电子工程学院	3	7	1.0	2.0
2	孙晓泉	脉冲功率激光技术国家重点实验室电子工程学院	22	157	6.0	11.0
3	豆贤安	脉冲功率激光技术国家重点实验室电子工程学院	5	14	3.0	3.0