忆阻器及其阻变机理研究进展

• 作者: 刘东青 张朝阳 朱玄 王楠楠 程海峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻器 阻变机理 电阻开关 忆阻器材料
• 年，卷（期）: 2014,（18）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 187301-1-187301-9
• 页数: 1页
• 分类号: 73.40.Rw|81.07.-b
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.187301

摘要

忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四种电路元件，在信息存储、逻辑运算和神经网络等研究领域具有重要的应用前景。本文综述了忆阻器以及忆阻器材料的研究进展，主要介绍了忆阻器的内涵与特征、阻变机理、材料类型以及应用前景，指出了目前忆阻器研究中需要关注的主要问题，并对以后的发展趋势进行了展望。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程海峰	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	109	1599	24.0	33.0
2	张朝阳	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	20	329	10.0	18.0
3	刘东青	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	14	143	6.0	11.0
4	王楠楠	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	2	40	1.0	2.0
5	朱玄	国防科技大学高性能计算国家重点实验室	1	40	1.0	1.0