2.4 GHz SiGe HBT E类高功率放大器

• 作者: 吕志强 吴玉平 尤云霞 王海永 陈岚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 E类 Cascode结构 功率器件
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 235-239
• 页数: 5页
• 分类号: TN432|TN722.7.5
• 字数: 2502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.02.014

摘要

针对无线通信飞速发展对高功率和高效率功率放大器的需求,提出了一种Cascode结构的2.4 GHz E类高功率放大器。它采用单端接地和单级放大的电路形式。基于国内新研制的0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了片内全集成,包括输入与输出匹配网络,具有结构简单、高集成度等特点。同时,考虑了器件的击穿电压,高电流下的电迁移和高功率的稳定性等问题,并进行了优化设计。结果表明,在10 V电源电压时,放大器的输出功率高达30 dBm,效率PAE为39.69%,最大功率增益达14 dB。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
2	王海永	中国科学院微电子研究所	11	21	3.0	4.0
3	吕志强	中国科学院微电子研究所	23	148	5.0	11.0
4	吴玉平	中国科学院微电子研究所	8	10	2.0	3.0
5	尤云霞	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0