Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 周志强 孙云
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS薄膜 太阳电池 Ga梯度分布 二极管特性
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1381-1386
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.22
• 字数: 3339字
• 语种: 中文

摘要

利用共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,并通过调整制备工艺中的一、三步的金属镓(Ga)的温度,改变Ga含量的梯度分布,研究不同梯度分布对CIGS薄膜及电池性能的影响.从而优化了电池带隙梯度分布,使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大程度的减小了Jsc的损失.优化后薄膜表面的结晶情况得到改善,电池的结界面和二极管特性也得到相应的提高.量子效率测试发现,优化后的CIGS太阳电池在较长波段中(520～1100nm)的光子吸收损失大大减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志强	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	116	369	10.0	16.0
2	孙云	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	33	390	11.0	19.0
3	何青	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	40	365	11.0	18.0
4	刘芳芳	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	19	224	7.0	14.0