EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

• 作者: 刘岩 李瑞宾 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 金晓明 齐超
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 浮栅器件 EEPROM 剂量率闩锁 闩锁阈值
• 年，卷（期）: 2014,（Z1）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 727-731
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.S0.0727

摘要

对3种不同容量的EEPROM开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能.辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量.研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常.给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析.