基于功率 MOSFET 的高速高压脉冲产生器

• 作者: 宋岩 宋顾周 杜继业 郭明安 马继明
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压脉冲 MOSFET 脉冲产生器 驱动电路
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 842-845
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2735字
• 语种: 中文

摘要

通过研究功率MOSFET器件的开关特性和脉冲产生技术，设计了互补推挽和集成芯片两种MOSFET栅驱动脉冲电路，其较好的驱动能力，极大的提升了MOSFET的开关速度，分别实现了上升（下降）时间小于5 ns和2．5 ns、输出幅度300～500 V、脉冲宽度5 ns～0．2ms可调的高速、高压的脉冲产生与放大。据此研制成功的脉冲产生器具有稳定性好、带负载能力强、输出脉宽调节范围大、体积小等特点。该脉冲产生器已成功应用于像增强器高速摄影的电子快门装置，并在其他需要高速、高压脉冲领域有一定应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭明安		42	264	10.0	14.0
2	宋顾周		23	70	4.0	7.0
3	马继明		27	70	5.0	6.0
4	宋岩		12	14	2.0	3.0
5	杜继业		7	26	3.0	4.0