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摘要:
采用提拉法生长Nd∶ YAP和Tm∶ YAP晶体,利用吸收和荧光光谱表征样品.结果表明:经真空退火,提高了晶体质量.Nd∶ YAP晶体在808 nm附近有较强的吸收,与商用激光二极管的发射波长匹配较好,获得了1064 nm荧光输出;Tm∶YAP晶体在790 nm附近有一定的吸收,在1.87 μm处的荧光峰对应于3F4→3H6能级之间的跃迁,有利于激光的高能量调Q输出.
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文献信息
篇名 RE∶YAP(RE=Nd,Tm)晶体缺陷与光谱分析
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 Nd∶YAP晶体 Tm∶YAP晶体 晶体缺陷 吸收光谱 荧光光谱
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1371-1375
页数 5页 分类号 O78
字数 1835字 语种 中文
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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