AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

• 作者: 徐明升 徐现刚 胡小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC衬底 GaN薄膜 AlGaN成核层 应力 晶体质量
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1346-1350
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 2292字
• 语种: 中文

摘要

研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
6	徐明升	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	14	3.0	3.0