H2 O2在精抛过程中对铜布线平坦化的影响

• 作者: 刘玉岭 曹阳 王辰伟
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化 碱性铜精抛液 双氧水 碟形坑 残余铜
• 年，卷（期）: 2014,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 48-51,56
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).011

摘要

采用自主研发的碱性铜抛光液,使用前稀释50倍加入不同剂量 H2 O2配制成碱性铜精抛液。实验结果表明,随着 H2 O2含量的增加,铜的静态腐蚀速率(CuDR)、抛光速率(CuPR)以及阻挡层 Ta/TaN 均有小幅度的降低,但在 MIT854布线片上精抛实验结果表明,碟形坑随着 H2 O2含量的增加逐渐降低,加入5％(体积分数)H2 O2的精抛液,在粗抛实现初步平坦化后,精抛去除残余铜的过程中,能够实现不同线条尺寸的完全平坦化,碟形坑在工业要求范围内。研究结果表明,H2 O2含量的增加对速率影响不明显,但有利于铜布线片的平坦化。此规律对提高 CMP 全局平坦化具有极重要的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	曹阳	河北工业大学微电子研究所	7	29	4.0	5.0