氧气含量对ITO薄膜电学性能及其稳定性的影响

• 作者: 张小文 徐华蕊 杨祖培 王华 许积文
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO 薄膜 氧气含量 电学性能 稳定性
• 年，卷（期）: 2014,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).010

摘要

调节磁控溅射工艺中氧气的含量，在玻璃基片上制备了ITO 薄膜.研究氧气含量对 ITO 薄膜光学、电学性能的影响，以及在高温、高温高湿、碱性环境及经时的电学性能的稳定性.结果表明，氧气含量的增加会降低沉积速率；氧气含量对 ITO 薄膜在可见光区内的透光率影响较小，但会引起峰值透光率蓝移；对电学性能及其稳定性影响较大，氧气含量在1％(体积分数)以内时，电学性能呈先降低后升高的变化，在0．4％(体积分数)时具有较低的电阻率，且在各种环境中具有较高的稳定性；氧气含量高于1％(体积分数)，电学性能及其稳定性变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	98	463	13.0	17.0
2	许积文	陕西师范大学材料科学与工程学院	68	171	6.0	10.0
4	杨祖培	陕西师范大学材料科学与工程学院	40	226	9.0	13.0
5	徐华蕊	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	31	143	7.0	10.0
6	张小文	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	17	29	3.0	4.0