反应磁控溅射制备带隙可调Si1-xGex薄膜

• 作者: 刘毅 刘永刚 徐钦英 杨锁龙 王小英 罗丽珠 蒋春丽
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗薄膜 光学带隙 可调 反应磁控溅射 影响
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 1568-1573
• 页数: 6页
• 分类号: TK511.4
• 字数: 3637字
• 语种: 中文

摘要

采用反应磁控溅射法制备非晶硅锗(Si1-xGex)半导体薄膜,并对其组分、结构、光学性质及影响光学性质的因素进行研究.结果表明:该方法简单、成本低,且制备的非晶Si1-xGex薄膜成分均匀、表面质量好、光学吸收系数高、带隙可调.另外提高氢气分压可使薄膜带隙升高,而低于300℃的衬底温度调节对薄膜的带隙影响不明显,退火温度对薄膜的带隙也有影响,高于800℃退火时,薄膜开始微晶化且光学带隙迅速减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋春丽		10	23	3.0	4.0
2	罗丽珠		11	24	3.0	4.0
3	王小英		11	30	4.0	5.0
4	刘永刚		13	62	2.0	7.0
5	徐钦英		4	6	2.0	2.0
6	杨锁龙		3	5	1.0	2.0
7	刘毅		1	0	0.0	0.0