功率MOSFET寄生电容劣化对开关瞬态响应的影响

• 作者: 关永 吴立锋 戴宇晟 李晓娟 王国辉
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 寄生电容 瞬态响应 软件仿真
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 661-664
• 页数: 4页
• 分类号: TM53
• 字数: 3081字
• 语种: 中文

摘要

为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证.由于栅极对MOSFET的性能影响至关重要,所以此次实验分析了和栅极相关的栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd.结果表明,在寄生参数相同劣化程度时,栅源电容对瞬态响应的影响达到7.08％,而栅漏电容近似只有1.6％.栅源电容的劣化更大程度上影响瞬态响应,为MOSFET劣化提供了新的研究思路.