P掺杂正交相Ca2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算

• 作者: 岑伟富 杨吟野 范梦慧 邵树琴
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 光学性质 第一性原理 Ca2Si 掺杂
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 153-157
• 分类号: O472.+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20144308.0816003

摘要

采用基于密度泛函理论第一性原理超软赝势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质,分析了P掺杂对Ca2Si的能带结构、电子态密度、光学性质的影响.计算结果表明:掺入P后Ca2Si的能带向低能方向偏移,禁带宽带为0.557 95 eV,价带主要由Si的3p,P的3p以及Ca的4s、3d电子构成,导带主要由Ca的3d电子贡献.通过能带结构和态密度分析了P掺杂正交相Ca2Si的复介电函数、折射率、反射谱、吸收谱和能量损失函数,结果表明P掺杂增强了Ca2Si的光利用率,说明掺杂能够有效改变材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发、应用提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范梦慧	贵州民族大学理学院	23	34	3.0	4.0
2	邵树琴	贵州民族大学理学院	4	11	2.0	3.0
3	杨吟野	贵州民族大学理学院	26	116	6.0	10.0
4	岑伟富	贵州民族大学理学院	23	27	3.0	4.0