Mg掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的结构及电传输特性

• 作者: 孟代仪 晒旭霞 李德聪 申兰先 邓书康
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: VIII型笼合物 n型传导 单晶
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 177401-1-177401-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.177401

摘要

本文采用Sn自熔剂法,制备Mg掺杂Sn基单晶笼合物Ba8Ga16-X MgX Sn30(06 X 61.5),并对其结构及电传输性能进行研究.结果表明所制备化合物为具有空间群Iˉ43m的VIII型单晶笼合物,随Mg掺杂量的增加,对应化合物的熔点略有升高,晶格常数减小,掺杂样品中填充原子Ba的实际含量低于理想值8.0,其在十二面体空洞中的占有率约为0.93(Mg的名义含量X =1.5时).所有样品均表现为n型传导, Mg的掺入对材料的能带结构有一定影响, Mg掺杂后,样品的载流子浓度降低, Seebeck系数的绝对值、电阻率增加, Mg的名义含量X =1.5时,样品的功率因子在430 K附近取得最大值1.26×10-3 W·m-1·K-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德聪	云南开放大学光电工程学院	4	2	1.0	1.0