微晶硅薄膜表面粗糙度的演化过程分析

• 作者: 任凤章 李新利 柳勇 许荣辉 马战红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频等离子体化学气相沉积 微晶硅薄膜 表面粗糙度 演化
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 2384-2388
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2687字
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备了沉积时间系列的微晶硅薄膜.采用椭圆偏振光谱仪(SE)和原子力显微镜(AFM)表征薄膜表面粗糙度,分析了表面粗糙度随沉积时间的演化行为.讨论了这两种测量手段在分析薄膜表面粗糙度时的差异.结果表明,采用SE拟合得到的表面粗糙度数值要大于采用AFM直接测量得到的结果.产生差异的原因,一是由于两种测量手段的测量机制不同;二是由于薄膜的结构不均匀导致薄膜表面形貌差异.另外,还发现这两种测量手段得到的表面粗糙度数值之间存在线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马战红	河南科技大学材料科学与工程学院	45	226	8.0	12.0
2	任凤章	河南科技大学材料科学与工程学院	221	1239	16.0	22.0
3	许荣辉	河南科技大学材料科学与工程学院	11	33	3.0	5.0
4	李新利	河南科技大学材料科学与工程学院	23	18	2.0	2.0
5	柳勇	河南科技大学材料科学与工程学院	8	3	1.0	1.0