篇名 | Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | Al(G1N/GaN strain relative permittivity Schottky metal | ||
年,卷(期) | 2014,(2) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 426-430 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/23/2/027102 |