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摘要:
意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated—GateBipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC,Power—FactorCorrection)转换器等应用的能效和耐用性。
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文献信息
篇名 意法半导体(ST)推出先进的1200V IGBT可实现更长的使用寿命、节省更多能源
来源期刊 UPS应用 学科 工学
关键词 意法半导体 使用寿命 IGBT 绝缘栅双极晶体管 能源 功率因数校正 不间断电源 Power
年,卷(期) 2014,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-12
页数 1页 分类号 TN322.8
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意法半导体
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IGBT
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不间断电源
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