系统集成中的高阻硅IPD技术

• 作者: 刘勇
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: IPD 系统集成 高阻硅 无源器件 滤波器
• 年，卷（期）: 2014,（14）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 128-131
• 页数: 4页
• 分类号: TN43-34
• 语种: 中文

摘要

集成无源器件（IPD）技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部，提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的射频特性，高阻硅IPD技术可以制备出Q值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点，可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台，便于批量生产降低成本。此外，高阻硅IPD技术可与硅通孔（TSV）技术兼容，可实现三维叠层封装。分析表明，高阻硅IPD技术在系统集成中具有广泛应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘勇	中国电子科技集团公司第三十八研究所	32	121	6.0	9.0