铒离子注入绝缘体上Si的射程分布研究

• 作者: 付刚 时术华 王凤翔 秦希峰 赵金花 马桂杰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 离子注入 绝缘体上Si 投影射程和射程离散 卢瑟福背散射技术
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 176101-1-176101-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.176101

摘要

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的。用200-500 keV能量的铒(Er)离子注入SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上的硅)样品中,利用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了剂量为2×1015 cm-2的Er离子注入SOI的平均投影射程Rp和射程离散?Rp,把测出的实验值和SRIM软件得到的理论计算值进行了比较,发现平均投影射程Rp的实验值跟理论计算值符合较好,射程离散?Rp的实验值和理论计算值差别大一些。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凤翔	山东建筑大学理学院	16	48	4.0	5.0
2	时术华	山东建筑大学理学院	15	22	2.0	3.0
3	秦希峰	山东建筑大学理学院	11	16	2.0	2.0
4	付刚	山东建筑大学理学院	12	40	3.0	5.0
5	马桂杰	山东建筑大学理学院	1	1	1.0	1.0
6	赵金花	山东建筑大学理学院	1	1	1.0	1.0