基于FPGA的F-RAM防掉电设计

• 作者: 任泽宇 王建超 罗丁利 郭鹏程
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 非易失铁电存储器 防掉电 现场可编程门阵列
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN79
• 字数: 1475字
• 语种: 中文

摘要

在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据.为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能.文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列实现,板级验证工作正常,并已在相关项目中得到应用且达到了预期功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任泽宇	北方通用电子集团有限公司数字工程部	1	0	0.0	0.0
2	郭鹏程	北方通用电子集团有限公司数字工程部	1	0	0.0	0.0
3	王建超	北方通用电子集团有限公司数字工程部	1	0	0.0	0.0
4	罗丁利	北方通用电子集团有限公司数字工程部	1	0	0.0	0.0