基于高压IGBT暂态机理模型的分析与研究

• 作者: 王瑞
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 机理模型 高压 MOSFET BJT
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 基金项目
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 1974字
• 语种: 中文

摘要

随着绝缘栅双极性晶体管(IGBT)使用的电压等级越来越高,关于绝缘栅双极性晶体管(IGBT)开关暂态的研究显得尤为重要.在机理模型的基础上能细划分为MOSFET与BJT,即金属氧化层半导体场效晶体管与双板结型晶体管两个部分,对其进行建模,列举出模型参数提取方法.该模型可在Matlab中实现,把IGBT作为案例列出模型参数数值,分析比较高压开通暂态、关闭暂态与开关损耗仿真结果,以此检验机理模型对高压IGBT是否适用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞		19	56	5.0	6.0