一款700 V功率场效应管失效分析与改进

• 作者: 冯全源 汪德波 陈晓培
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 功率场效应管 失效分析 可靠性 终端结构 击穿电压 芯片面积
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 可 靠 性
• 页码范围: 82-85
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.021

摘要

对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析，并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计，在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明，其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm，有效解决了芯片失效问题，提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%，有效减小了器件的面积。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈晓培	西南交通大学微电子研究所	11	31	3.0	5.0
3	汪德波	西南交通大学微电子研究所	4	4	1.0	1.0