PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷显微结构及非线性表征

• 作者: 乔凯 杨敏 赵鸣 陆干祥 韩佳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PrMnO3 ZnVTiO 压敏陶瓷 显微结构 非线性
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 2258-2264
• 页数: 7页
• 分类号: TM22
• 字数: 3157字
• 语种: 中文

摘要

传统混合氧化物工艺条件下,经900℃烧结4h制备了0～0.3mol％ PrMnO3型前驱体掺杂ZnO-V2O5-TiO2(ZnVTiO)基压敏陶瓷.在此基础上,采用XRD、SEM+ EDS研究其显微结构,按照标准I-V测试法测定其电学非线性.研究表明,该陶瓷除ZnO主晶相及Zn3(VO4)2常见第二相出现以外,还生成了Zn2TiO4、PrVO4两种颗粒相.Ti除了可以使样品晶粒尺寸出现大小两极分化之外,还通过形成Zn2TiO4颗粒相阻碍晶粒生长.PrVO4的含量随前驱体含量的提高而逐渐增加,其对烧结有轻微阻碍作用.0.05％ PrMnO3型前驱体掺杂ZnVTiO基压敏陶瓷非线性最佳,非线性系数为23,压敏电压为154.1V,漏电流为19.6 μA.