磷掺杂半导体单壁碳纳米管电子结构的第一性原理研究

• 作者: 安博 王蓉 郭小刚
• 来源期刊: 河南科学
• 关键词: 单壁碳纳米管 第一性原理 P掺杂 态密度
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 机械电子与计算机科学
• 页码范围: 2263-2266
• 页数: 4页
• 分类号: TQ127
• 语种: 中文
• DOI: 10.13537/j.issn.1004-3918.2014.11.017

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理，研究了掺磷（P）单壁碳纳米管（SWCNT）的电子结构性质。结果表明，引入掺杂原子可显著改变SWCNT费米能级附近的能带结构，掺杂SWCNT的电子态密度（DOS）向低能端移动，其最高分子占据轨道（HOMO）与最低分子非占据轨道（LUMO）间的能隙减小，掺杂的磷原子比碳原子多出的电子更容易从价带向导带跃迁。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭小刚	铜川职业技术学院机电系	1	0	0.0	0.0
2	王蓉	铜川职业技术学院机电系	1	0	0.0	0.0
3	安博	铜川职业技术学院机电系	1	0	0.0	0.0