半导体纳米薄膜导电特性测试

• 作者: 熊淑平
• 来源期刊: 实验室研究与探索
• 学科: 地球科学
• 关键词: 半导体 纳米 薄膜 导电特性
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: N39
• 字数: 2357字
• 语种: 中文

摘要

通过对某些测试方法的改进,设计了综合测试方案,以达到最终实现对薄膜样品膜面、膜厚两个方向上电导率和Seebeck系数的测试.制备了薄膜样品.应用电子束微影技术,在矽晶片表面制造纳米孔洞阵列结构,以改善半导体介面性质并增进其导电性,研究结果显示,在矽晶片表面建构方型孔洞阵列,且在孔洞够小的情况下,与未建构纳米孔洞而只做退火处理的对照样品相比,有效降低了导体的接触电阻,在金属导体电接触中,拥有更加优良的导电性,即在低温制程的中小孔洞阵列结构能取代退火处理.纳米科技有效增进半导体薄膜接点导电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊淑平		36	41	3.0	5.0