Si面4H-SiC衬底上外延石墨烯近平衡态制备

• 作者: 冯志红 刘庆彬 李佳 蔚翠 蔡树军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 生长 外延石墨烯 平衡态 晶体质量
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 038102-1-038102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.038102

摘要

SiC热解法是制备大面积、高质量石墨烯的理想选择之一.外延石墨烯的晶体质量仍是制约其应用的关键因素之一.本文通过SiC热解法在4H-SiC (0001)衬底上制备单层外延石墨烯.通过引入氩气惰性气氛和硅蒸气,使SiC 衬底表面的Si原子升华与返回概率接近平衡,外延石墨烯生长速率大大减慢,单层石墨烯的生长时间从15 min延长至75 min.测试分析表明,生长速率减慢,外延石墨烯中缺陷减少,晶体质量提高,使得外延石墨烯的电性能都得到改善,单层外延石墨烯的最高载流子迁移率达到1200 cm2/V·s,方阻604?/？.以上结果表明,控制生长气氛,减慢生长速率是实现高质量外延石墨烯的可行途径之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佳	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室	33	57	4.0	6.0
2	蔡树军	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室	12	45	3.0	6.0
3	冯志红	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室	8	19	3.0	4.0
4	蔚翠	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室	2	8	1.0	2.0
5	刘庆彬	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室	2	8	1.0	2.0