基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

• 作者: 朱志明 李忠辉 李赟 赵志飞 陆东赛
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC衬底 外延 台阶形貌 均匀性 正交实验
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 2699-2704
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.05|TN304.2+4
• 字数: 4681字
• 语种: 中文

摘要

采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响.采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数.采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23％和3.32％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李赟	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	38	3.0	6.0
2	赵志飞	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	3	8	2.0	2.0
3	朱志明	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	3	8	2.0	2.0
4	陆东赛	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	3	8	2.0	2.0
5	李忠辉	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	25	3.0	4.0