溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究

• 作者: 田均庆 石海英 郑威
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶水热法 FTO薄膜 表面电阻 载流子浓度 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 2677-2681
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3094字
• 语种: 中文

摘要

以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响.采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件.结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂.F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率.并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35 Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑威	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	44	422	9.0	20.0
2	石海英	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	6	23	3.0	4.0
3	田均庆	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	6	23	3.0	4.0