阵列激光器的结特征参量及其可靠性研究

• 作者: 曹军胜
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 电导数 可靠性
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 实验技术与装置
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2421字
• 语种: 中文

摘要

采用电导数方法提取了半导体激光器阵列的结特征参量m，并对阵列结特征参量m与器件可靠性的关系进行了理论与实验研究，结果表明：m值可以作为阵列可靠性检测的一个重要判据，同一批次的阵列器件中，m值大的器件属于低可靠性器件；阵列m值大则说明单元m值大，或阵列存在严重电流泄漏通道，或阵列单元一致性差等。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹军胜	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	28	81	4.0	8.0