纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用

• 作者: 刘春秀 宋轶琳 徐声伟 蒋庭君 蔚文婧 蔡新霞
• 来源期刊: 分析化学
• 关键词: 微电极阵列 氮化钛修饰 神经电生理 神经电化学 多巴胺
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 研 究 报 告
• 页码范围: 1071-1076
• 页数: 6页
• 字数: 3792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11895/j.issn.0253-3820.140242

摘要

采用氮化钛( TiN)修饰平面微电极阵列( pMEA),对其性能进行改进,开展了离体神经电生理和神经递质电化学的检测研究。采用磁控溅射法在实验室自制微电极阵列上修饰具有纳米结构的TiN材料,修饰后的微电极阻抗降低近一个数量级,背景噪声基线降至±6μV,信噪比是修饰前的1.7倍。在SD大鼠离体脑片神经电生理信号检测中,信噪比可达10：1,能分离提取±12μV的微弱信号。神经递质多巴胺电化学信号检测下限达50 nmol/L(信噪比2：1),浓度在0.05~100μmol/L内与电流响应的线性相关系数为0.998。实验结果表明,在微电极表面修饰纳米TiN,降低了微电极阻抗,提高了信噪比,实现了对神经信息微弱信号的检测。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春秀	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	25	282	10.0	16.0
2	徐声伟	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	5	21	3.0	4.0
3	宋轶琳	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	5	31	3.0	5.0
4	蔚文婧	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	2	7	1.0	2.0
8	蒋庭君	中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室	1	7	1.0	1.0