不同碳化硅器件的直接比较

• 作者: 周新田 张惠惠 穆辛
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: SIC MOSFET SIC JFET SIC BJT
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TN303

摘要

本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V／20A的SiCMOSFET，并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作对比。全面比较了3种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围（1A-7A）的动态特性，并在T=125℃、ID=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻僻。＋）很高，但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET，且驱动方案非常简单。因此在高频、高效功率转换领域中，SiCMOSFET是最好的选择。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张惠惠	北京工业大学电控学院	3	14	2.0	3.0
2	周新田	北京工业大学电控学院	4	22	3.0	4.0
3	穆辛	北京工业大学电控学院	4	22	3.0	4.0