贯通导体耦合对金属腔体屏蔽效能的影响

• 作者: 刘国红 李凯 李新峰 潘晓东 魏光辉
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 贯通导体 金属腔体 屏蔽效能 电磁兼容 电磁干扰 电磁耦合
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工程电磁场
• 页码范围: 2842-2848
• 页数: 7页
• 字数: 3534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.033

摘要

为研究外部电磁能量通过贯通导体耦合对腔体内部屏蔽效能的影响,利用电磁仿真软件FEKO,从频域角度对腔体内部场进行了仿真研究,利用矢量网络分析仪、功率放大器、GTEM室和全向电场探头搭建实验系统进行了验证,并通过建立含贯通导体金属腔体电路模型进行了谐振频率定性分析.结果表明:仿真和实验的结果具有一致性;当加入贯通导体后,腔体的屏蔽效能减小,谐振频率降低.腔体屏蔽效能随着贯通导体数量的增多而减小,随着电场极化方向与贯通导体夹角增大而减小,在腔体谐振频率以下随着监测点到贯通导体位置增大3倍,屏蔽效能提高20 dB.屏蔽效能的谐振频点受贯通导体长度影响较大,随着贯通导体数量增多而减小,不随电场极化方向和监测点位置变化而改变.为了改善含贯通导体金属腔体的屏蔽效能,应注意引入贯通导体后产生的新谐振频点,以及在这些频点上的屏蔽效能极小值,敏感电路应远离贯通导体放置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏光辉	军械工程学院静电与电磁防护研究所	186	1593	18.0	31.0
2	潘晓东	军械工程学院静电与电磁防护研究所	72	438	13.0	15.0
3	李新峰	军械工程学院静电与电磁防护研究所	23	148	7.0	10.0
4	刘国红	武汉军械士官学校雷达系	10	31	3.0	5.0