SiC/C界面辐照性能的分子动力学研究*

• 作者: 张跃 李忠宇 洪兵 王庆宇 王成龙 苏折 董良
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiC/C界面 辐照 分子动力学
• 年，卷（期）: 2014,（15）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 153402-1-153402-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.153402

摘要

本文通过分子动力学模拟的方法，研究了5种含不同空间结构的SiC/C界面的材料受辐照后的缺陷分布随时间以及PKA位置的变化关系，并与单质SiC中缺陷分布情况进行对比。利用径向分布函数分析了辐照对界面原子排列情况的影响。研究结果表明， SiC/C界面的抗辐照能力明显低于SiC内部，不同的空间结构对界面缺陷数量存在一定影响。由径向分布函数推得界面区域石墨原子密度高则界面原子排列情况受辐照影响越大。