Pb（Hf0．3 Ti0．7）O3铁电薄膜的制备与性能研究?

• 作者: 刘兴鹏 吴智鹏 吴诗捷 朱俊 李俊峰 林亚丽
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Pb (Hf0.3 Ti0.7 )O3 铁电薄膜 脉冲激光沉积 微观结构 电学性能
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 24091-24094
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.24.019

摘要

采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0．3 Ti0．7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能.研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向；PHT 薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53．1μC/cm2,经1．5×109次翻转后剩余极化强度保持85％；PHT 薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540.PHT 薄膜有望应用于铁电随机存储器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	34	102	5.0	6.0
2	刘兴鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	2	1.0	1.0
3	吴智鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
4	吴诗捷	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	5	1.0	2.0
5	林亚丽	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	李俊峰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0