Ar和H2气氛退火CdZnTe表面的XPS研究

• 作者: 介万奇 何亦辉 周岩 王涛 郭欣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe XPS 退火
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 2487-2491
• 页数: 5页
• 分类号: TQ163
• 字数: 3345字
• 语种: 中文

摘要

对CZT晶体进行了相同温度条件下Ar和H2气氛退火实验研究.利用XPS的离子溅射深度剖析对比分析了退火前和不同气氛退火后CZT晶体表面成分和价态的变化,并以上述变化为依据,推测了退火前CZT晶体的表面结构和成分以及退火过程中气体与CZT晶体表面发生的化学反应.结果表明,相比Ar气氛退火,H2气氛退火后因为TeO2和富Te层会先后和H2发生化学反应而大量减少,可以有效地去除TeO2和富Te层,增大H与CZT的接触面积,促进H与CZT的进一步反应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	王涛	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	100	658	13.0	21.0
3	何亦辉	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	7	10	2.0	3.0
4	郭欣	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	周岩	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	7	9	2.0	2.0