一种高PSR CMOS带隙基准电路设计

• 作者: 姜岩峰 贺志伟
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 带隙基准电压 低功耗 电源抑制 电路设计
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 电子技术应用
• 页码范围: 153-155,158
• 页数: 4页
• 分类号: TN402-34
• 语种: 中文

摘要

为了降低芯片电路功耗，电源电压需要不断的减小，这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对这一问题进行相关研究，采用SMIC 0.18μm工艺，设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表明，该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100 kHz分别为-65.13 dB和-53.85 dB；在2~6 V电源电压下，工作电流为30μA，温度系数为30.38 ppm/℃，电压调整率为71.47μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜岩峰	北方工业大学微电子研究中心	44	285	7.0	15.0
2	贺志伟	北方工业大学微电子研究中心	7	2	1.0	1.0