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摘要:
针对重频电磁脉冲(EMP)干扰现象,以可控硅门极触发电路为研究对象,进行了门极共地耦合电磁干扰的理论研究,并针对重频EMP环境下可控硅触发的可靠性,分别进行了不同重频EMP数量与不同重频EMP时间间隔下可控硅的触发输出实验.结果表明:重频EMP会影响可控硅的触发,重频EMP数量增多与间隔减小均使可控硅误触发的可能性增大.对比理论分析与实验结果,认为重频EMP干扰是由于重频EMP累积效应与重频EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起.
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文献信息
篇名 重频电磁脉冲对可控硅触发系统的电磁干扰
来源期刊 高电压技术 学科
关键词 重频电磁脉冲 可控硅 电磁干扰 积累效应 共地耦合 操作过电压
年,卷(期) 2014,(9) 所属期刊栏目 电磁兼容与工程电磁场
研究方向 页码范围 2693-2698
页数 6页 分类号
字数 3859字 语种 中文
DOI 10.13336/j.1003-6520.hve.2014.09.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何山红 安徽工业大学电气与信息工程学院 13 21 2.0 4.0
2 车文荃 南京理工大学电子工程与光电技术学院弹道国防科技重点实验室 12 33 3.0 5.0
3 冯德仁 安徽工业大学电气与信息工程学院 50 179 7.0 9.0
4 姚锋 安徽工业大学电气与信息工程学院 1 6 1.0 1.0
5 刘梦菲 安徽工业大学电气与信息工程学院 2 8 2.0 2.0
6 熊瑛 南京理工大学电子工程与光电技术学院弹道国防科技重点实验室 3 19 3.0 3.0
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节点文献
重频电磁脉冲
可控硅
电磁干扰
积累效应
共地耦合
操作过电压
研究起点
研究来源
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研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
月刊
1003-6520
42-1239/TM
大16开
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
38-24
1975
chi
出版文献量(篇)
9889
总下载数(次)
24
总被引数(次)
181291
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