温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响

• 作者: 徐晖 李清江 步凯 田晓波
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻器 温度 杂质漂移 隧道势垒
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 90581-90588
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.098402

摘要

相同测试条件下，纳米钛氧化物忆阻器的导电过程存在不稳定性，制约了对器件瞬态阻抗的精确读取与控制，并影响了器件应用于电路设计的可靠性与稳定性。杂质漂移与隧道势垒的共存是导致上述不稳定性的可能因素，且杂质漂移特性与环境温度密切相关。然而，目前尚无通过控制温度提高忆阻器导电稳定性的具体研究。基于杂质漂移与隧道势垒共存，本文分析了温度与忆阻器导电特性的关联，研究了器件活跃区域厚度及初始掺杂层厚度的改变对临界温度的影响，利用SPICE软件进行了仿真验证并给出结果，得出提高忆阻器导电稳定性的方法有：增大活跃区域厚度、降低初始杂质浓度及保持环境温度稳定且低于临界温度，从而为制备性能稳定的忆阻器及推动器件在实际电路中的应用提供依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐晖	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	33	253	10.0	14.0
2	步凯	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	3	25	3.0	3.0
3	田晓波	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	4	21	2.0	4.0
4	李清江	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	5	47	4.0	5.0