非对称结构大功率940 nm量子阱激光器

• 作者: 夏伟 张新 徐现刚 李沛旭 汤庆敏 蒋锴
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱激光器 大功率 非对称结构 InGaAs/GaAs 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 110-114
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.051022

摘要

为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件.采用低压金属有机物气相沉积(LP MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44 mm-1.进而通过管芯工艺制作了条宽100 μm、腔长2000 μm的940 nm半导体激光器器件.25 ℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6W,最大光电转化效率超过70％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张新		5	9	2.0	3.0
2	李沛旭		5	8	1.0	2.0
3	汤庆敏		2	1	1.0	1.0