ZnO半导体电导型X射线探测器件研究

• 作者: 刘金良 康雪 张忠兵 彭文博 欧阳晓平 贺永宁 赵小龙 陈亮
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO薄膜 ZnO纳米线 X射线探测 氧吸附
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 098502-1-098502-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.098502

摘要

本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12μC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17μC/Gy.器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度.本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.