Ka波段单片压控振荡器的设计

• 作者: 李鹏亮 马伟
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: Ka波段 砷化镓 微波单片集成电路 压控振荡器 pHEMT
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 通信与信息技术
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: TN752-34
• 语种: 中文

摘要

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了Ka波段单片压控振荡器，该压控振荡器采用源极正反馈结构，变容管采用源极和漏极接地的pHEMT管。通过优化输出匹配网络和谐振网络以改善输出功率和相位噪声性能，使用蒙特卡洛成品率分析对本设计的成品率进行分析和改进。版图仿真结果显示：芯片输出频率为24.6~26.3 GHz，输出功率为（10±1）dBm，谐波抑制大于19 dB，芯片尺寸为1.5 mm×1 mm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李鹏亮		3	4	1.0	2.0
2	马伟		6	15	2.0	3.0