溶剂热法合成In2Se3/CuSe复合粉及CulnSe2薄膜的制备

• 作者: 梁凤基 莫淑一 邹正光 高耀 龙飞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 溶剂热 In2Se3/CuSe复合粉 CIS薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 1705-1712
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4565字
• 语种: 中文

摘要

采用常压下两步溶剂热法合成了In2Se3/CuSe复合粉,并以其为原料,通过喷涂成膜后快速热处理制备了CuInSe2(CIS)薄膜.利用XRD、FE-SEM、EDS对In2Se3/CuSe复合粉的晶体结构和形貌进行分析表征,研究了溶剂热合成过程中的反应温度、表面活性剂对In2Se3/CuSe复合粉体物相及形貌的影响.结果表明:以InCl3·4H2O、Se粉为原料,聚乙二醇-400、水合肼、醋酸为溶剂于120℃下反应30 min可以成功合成出结晶性良好的纯相In2Se3纳米球,直径分布在50 ～ 100 nm之间;以In2Se3纳米粉作为中间产物,分散于乙二醇溶剂中,加入Se源溶液(水合肼溶解Se粉)及CuCl2· 2H2O,90℃下反应30 min可获得In2Se3/CuSe复合粉,其中CuSe呈不规则团聚状均匀分布在In2Se3纳米球的周围,且当加入0.2 g CTAB时获得的In2Se3/CuSe复合粉分散性较好.采用FE-SEM、EDS、XRF和Raman光谱对预置膜和快速热处理后获得的CIS薄膜的形貌和成分进行表征.结果表明:将In2Se3/CuSe复合粉制备成“墨水”后涂覆在镀Mo玻璃基板上,快速升温至550℃可成功获得致密的CIS薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙飞	桂林理工大学材料科学与工程学院	43	259	7.0	15.0
2	邹正光	桂林理工大学材料科学与工程学院	46	248	7.0	14.0
3	莫淑一	桂林理工大学材料科学与工程学院	8	25	3.0	4.0
4	梁凤基	桂林理工大学材料科学与工程学院	3	13	3.0	3.0
5	高耀	桂林理工大学材料科学与工程学院	2	7	2.0	2.0