SnO2/p+-Si异质结器件的电致发光：利用TiO2盖层提高发光强度

• 作者: 朱辰 杨德仁 杨扬 汪粲星 蒋昊天 马向阳
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SnO2/p+-Si异质结 TiO2盖层 电致发光
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 177302-1-177302-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.177302

摘要

通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800?C热处理形成SnO2/p+-Si异质结。基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光。进一步地，通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层，使器件的电致发光获得显著增强。这是由于TiO2盖层的引入，一方面使SnO2薄膜更加致密，减少了非辐射复合中心；另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	杨扬	浙江大学硅材料国家重点实验室	33	222	8.0	13.0
4	蒋昊天	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	汪粲星	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	朱辰	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	25	3.0	4.0