热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响

• 作者: 冯翠菊 蔡莉莉 陈贵锋
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子辐照 氧沉淀 缺陷形貌 快速热处理(RTP) 清洁区(DZ)
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 1802-1805
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 3066字
• 语种: 中文

摘要

对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响.实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样品体内的缺陷以位错环为主而氮气氛下则主要是层错,并对此现象的机理进行了讨论;经历不同气氛快速预处理再进行高温一步退火后,辐照样品表面会产生一定宽度的清洁区,而氮气氛下清洁区宽度较窄;通过傅里叶变换红外光谱仪检测间隙氧含量的变化发现氮气氛下退火的样品间隙氧含量下降较多,说明氮气氛热处理更有利于氧沉淀的生成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈贵锋	河北工业大学材料科学与工程学院	22	59	5.0	6.0
2	冯翠菊	华北科技学院基础部物理教研室	19	60	4.0	7.0
3	蔡莉莉	华北科技学院基础部物理教研室	16	64	4.0	7.0