具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究?

• 作者: 刘翔宇 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 王斌 王萌 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管 poly-Si1-xGex栅 热载流子 阈值电压
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237302-1-237302-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.237302

摘要

针对具有poly-Si1?xGex栅的应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),研究了其垂直电势与电场分布,建立了考虑栅耗尽的poly-Si1?xGex栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型,并利用该模型分析了poly-Si1?xGex栅及应变SiGe层中Ge组分对等效氧化层厚度的影响.研究了应变SiGe PMOSFET热载流子产生的机理及其对器件性能的影响,以及引起应变SiGe PMOSFET阈值电压漂移的机理,并建立了该器件阈值电压漂移模型,揭示了器件阈值电压漂移随电应力施加时间、栅极电压、poly-Si1?xGex栅及应变SiGe层中Ge组分的变化关系.并在此基础上进行了实验验证,在电应力施加10000 s时,阈值电压漂移0.032 V,与模拟结果基本一致,为应变SiGe PMOSFET及相关电路的设计与制造提供了重要的理论与实践基础.